Таблица 2. Высокомощные MOSFET транзисторы обеднённого типа от IXYS.
- Примечание:
Vdsx – напряжение сток-исток
Rds(on) - сопротивление в открытом состоянии
Vgs(off) – пороговое напряжение
Idss – ток утечки затвора
Id(on) – непрерывный ток стока
MOSFET транзисторы обеднённого типа получили довольно широкое применение в современной электронике. Рассмотрим некоторые схемы использования транзисторов IXYS.
Одной из таких областей является построение прецизионного источника тока путем установки транзистора в схему с источниками опорного напряжения [2]. В таком случае транзистор компенсирует колебания напряжения питания. Источник тока в итоге обеспечивает общий ток нагрузки, включающий в себя ток через резистор и ток покоя. Такая схема позволяет получить прецизионный ток и сверхвысокий выходной импеданс.