Cиловые компоненты на основе карбида кремния от Microchip
Гид по выбору
Электронные компоненты на основе карбида кремния (SiC) - это новые возможности для повышения эффективности системы преобразования электропитания, гарантированной работы при более высоких рабочих температурах и снижение затрат на силовые электронные устройства. Они могут использоваться в широком диапазоне высоковольтных и высокомощных системах в промышленных, автомобильных, медицинских, аэрокосмических и коммуникационных сегментах рынка. Использование электронных компонентов на основе карбида кремния в системах преобразования электроэнергии позволяет:
• снизить масса-габаритные показатели
• увеличить КПД и мощность
• уменьшить себестоимость изделия в комплексе.
SiC MOSFET-транзисторы нового поколения и SiC-диоды с барьером Шоттки (SBD), а также силовые модули на их основе производства компании Microchip разработаны c учетом работы в условиях высокочастотной коммутации с высоким запасом прочности и надежности. Кроме того, наравне с изделиями в корпусе Microchip предлагает также SiC MOSFET и SiC SBD кристаллы, которые могут быть использованы для построения уникальных силовых модулей с различной топологией.
Для управления SiC MOSFET на высоких частотах переключения, Microchip разработал уникальные цифровые драйверы AgileSwitch. Они подходят для применения на транспорте и в промышленности, включая большегрузные автомобили и пассажирский автотранспорт, преобразователи собственных нужд (ПСН), зарядные устройства, хранение электроэнергии, инверторы и индукционный нагрев.
• снизить масса-габаритные показатели
• увеличить КПД и мощность
• уменьшить себестоимость изделия в комплексе.
SiC MOSFET-транзисторы нового поколения и SiC-диоды с барьером Шоттки (SBD), а также силовые модули на их основе производства компании Microchip разработаны c учетом работы в условиях высокочастотной коммутации с высоким запасом прочности и надежности. Кроме того, наравне с изделиями в корпусе Microchip предлагает также SiC MOSFET и SiC SBD кристаллы, которые могут быть использованы для построения уникальных силовых модулей с различной топологией.
Для управления SiC MOSFET на высоких частотах переключения, Microchip разработал уникальные цифровые драйверы AgileSwitch. Они подходят для применения на транспорте и в промышленности, включая большегрузные автомобили и пассажирский автотранспорт, преобразователи собственных нужд (ПСН), зарядные устройства, хранение электроэнергии, инверторы и индукционный нагрев.
Особенности:
- Напряжение от 700 до 3300 В
- Токи от 10 до 50 А
- Корпус: TO-220-2, TO-268-2(D3PAK), TO-247-2, TO-247-3, SOT-227, кристалл
Особенности:
- Напряжение от 700 до 1700 В
- Токи от 30 до 600 А
- Корпус: SOT-227, SP1, SP6, SP6C, D1P
- Конфигурация: сдвоенный, полумост, мост, 3х фазный мос
Особенности:
- Напряжение от 700 до 1700 В
- Токи от 4 до 99 А / RdsOn от 15 до 750 мОм
- Корпус: TO-247-3, TO-247-4, TO-268(D3PAK), SOT-227, кристал
Особенности:
- Напряжение от 700 до 1700 В
- Токи от 44 до 754 А / RdsOn от 2,1 до 40 мОм
- Корпус: SOT-227, SP1F, SP3F, D3, SP6C, SP4, SP6P, SP6C LI
- Конфигурации: повышающий/понижающий преобразователь, полумост, мост, 3х фазный мост, тройной полумост, венский полумост
Особенности:
- Программно-конфигурируемые параметры для управления SIC MOSFET
- Надежная защита от короткого замыкания
- Высокая устойчивость к ЭМП
- Поддержка модулей на 1200 и 1700 В
Нужна помощь в подборе электронных компонентов на основе карбида кремния (SiC)?
Наши специалисты помогкт подобрать элементную базу под Ваше решение
Вы согласны с условиями обработки персональных данных