Cиловые компоненты на основе карбида кремния от Microchip

Гид по выбору
Электронные компоненты на основе карбида кремния (SiC) - это новые возможности для повышения эффективности системы преобразования электропитания, гарантированной работы при более высоких рабочих температурах и снижение затрат на силовые электронные устройства. Они могут использоваться в широком диапазоне высоковольтных и высокомощных системах в промышленных, автомобильных, медицинских, аэрокосмических и коммуникационных сегментах рынка. Использование электронных компонентов на основе карбида кремния в системах преобразования электроэнергии позволяет:

• снизить масса-габаритные показатели
• увеличить КПД и мощность
• уменьшить себестоимость изделия в комплексе.

SiC MOSFET-транзисторы нового поколения и SiC-диоды с барьером Шоттки (SBD), а также силовые модули на их основе производства компании Microchip разработаны c учетом работы в условиях высокочастотной коммутации с высоким запасом прочности и надежности. Кроме того, наравне с изделиями в корпусе Microchip предлагает также SiC MOSFET и SiC SBD кристаллы, которые могут быть использованы для построения уникальных силовых модулей с различной топологией.
Для управления SiC MOSFET на высоких частотах переключения, Microchip разработал уникальные цифровые драйверы AgileSwitch. Они подходят для применения на транспорте и в промышленности, включая большегрузные автомобили и пассажирский автотранспорт, преобразователи собственных нужд (ПСН), зарядные устройства, хранение электроэнергии, инверторы и индукционный нагрев.
Нужна помощь в подборе электронных компонентов на основе карбида кремния (SiC)?
Наши специалисты помогкт подобрать элементную базу под Ваше решение
Вы согласны с условиями обработки персональных данных